Oxford牛津µEtchICP-ICP失效分析工具
Plasmalab µEtchICP可以以ICP模式或RIE模式为不同尺寸的管芯和封装过的器件提供灵活的工艺
上端去除工艺:
• 去除:
- 各向同性的聚酰亚胺
-各向同性的氮化物
-各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）
-低k值氧化物
• 揭露至少6层金属层而不分层
• 隔离层去除的选择性控制
• Poly-Si etch 刻蚀多晶硅
• 失效分析装饰或描绘轮廓
下端去除工艺:
• 快速去除Si体材料，然后停止在掩埋氧化物层
• 去除掩埋氧化物层，然后停止在薄的Si有源区层
• 薄的Si有源区层去除
失效剥层分析的结束点
在逐层去除步骤中可以使用激光干涉仪进行结束点探测
可以编写使用激光结束点探测的多步骤运行程序，来提供一个完全自动控制刻蚀速率、均匀性、选择比和外形的失效分析能力