离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术
高性能的IBAD(离子辅助沉积)系统
离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera开发了离子辅助的PLD系统，该系统将PLD在沉积复杂材料方面的优势与IBAD能力结合在一起。得到无人伦比的技术专家知识的支持Neocera离子辅助的PLD系统会得到重要应用经验的支持。系统开发结合了Neocera的工程和工艺经验，保证了最大的用途和工艺性能。
利用离子辅助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria稳定的YSZ基片上，开发了具有下列性能的双轴结构的YBCO薄膜：
l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°
l 转变温度Tc在88-89K，转变宽度DTc约为约为0.5 K
l 77 K零场强时，临界电流密度Jc范围; 1.5—2x106 A/cm2
l 77 K时，磁深入深度l: 284nm
l 77 K，10G时，表面电阻Rs等于700mW
Continuous Composition Spread (连续组成扩展)
一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS)方法。
经济的组合合成
组合合成是材料科学中最激动人心的最新进展。在一次镀膜实验中，生产多种不同材料组成的能力，大大的提高了获得具有期望材料性能的最佳组成的速度。然而，现有组合合成系统的高成本对绝大多数研究预算来说都是不切合实际的。
得到Neocera PLD经验的支持
Neoceora已经应用我们丰富的PLD和开发性能可靠的经济型设备的经验，发明了PLD-CCS(脉冲激光沉积-连续组成扩展)系统。PLD-CCS受益于多层薄膜沉积的方便性和PLD工艺能在基片上改变二元，假二元，或三元体系的组成这一固有特性。
常规沉积条件下的组合合成
PLD-CCS能以连续的方式，而不是间隔的方式改变材料，没有必要使用掩模。这就允许在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。事实上，该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。
Laser MBE (激光分子束外延)
一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高压RHEED的结合，
为单分子水平上的薄膜生长提供了精确控制。
使用激光MBE是纳米技术研究的理想工具
激光MBE是普遍采用的术语，定义了高真空下的PLD与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用。该法为用户提供了类似于MBE的薄膜生长的单分子水平控制。随着更多的PLD研究受到纳米技术的驱动，激光MBE变得对用户更加有益。
正确的设计是成功使用RHEED和PLD的重要因数
RHEED通常在高真空（<10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持RHEED枪的工作压力，同时保持500 mTorr的PLD工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。
Neocera的激光MBE系统为用户在压力达到500mTorr时所需的单分子层控制。