Oxford牛津INCAPentaFET-x3液氮制冷Si(Li)探头
INCAPentaFET-x3是牛津仪器最新的30mm2有效面积的高性能Si（Li）能谱系统，分辨率与10mm2探头完全相同。在相同的工作条件下，INCAPentaFET-x3具有更高的计数率和工作效率和最优秀的分析性能。
更广泛的应用领域，从低计数率到高计数率
比10mm2能谱系统高达3倍的工作效率
或在1/3的束流下获得与10mm2能谱系统相同的计数率
低束流下更小的辐照损伤和样品污染
优秀的低能分析性能
有保证的能量分辨率
1k-10kcps谱峰和分辨率变化<1eV
探测元素从Be开始
分析性能完全符合ISO15632：2002国际标准
探头优化专利技术保证探测晶体的最佳性能
无与伦比的INCAx-stream脉冲处理器保证在不同计数率下的分析性能的稳定性